「グラフェンを用いた低電圧・低真空で動作可能な高効率平面型電子放出素子」　産業技術総合研究所　ナノエレクトロニクス研究部門　カスタムデバイスグループ　主任研究員　村上勝久

https://youtube.com/watch?v=ZJM21TpQx_w

「つくば産学連携強化プロジェクト 新技術説明会」（2016年7月28日開催）にて発表。https://shingi.jst.go.jp/list/tsukuba/2016_tsukuba.html

【新技術の概要】
グラフェンを上部電極としたGraphene/Oxide/Semiconductor（GOS）構造を用いた平面型電子放出素子を開発しました。GOS構造に10～20Vの低電圧を印可するだけで、平面から1～10mA/cm2の高い電流密度で電子を放出させることができ、大気圧下でも電子放出が可能です。

【従来技術・競合技術との比較】
従来型の平面型電子放出素子は上部電極に金属を用いているため、金属電極での電子散乱により電子の放出効率が0.001%程度と非常に低く、実用化が妨げられていました。上部電極をグラフェンにすることで電極での電子散乱を抑制し、従来素子に比べて電子放出効率と放出電流密度の100～1000倍向上を達成しました。

【新技術の特徴】
・平面からの均一な電子放出
・低真空、低電圧で電子放出可能
・高効率、高放射電流密度

【想定される用途】
・高速電子ビームリソグラフィのための電子源
・高感度イメージセンサ
・平面型X線源